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La Microscopie électronique à balayage (MEB) et la microscopie électronique à transmission (MET) sont des techniques d'imagerie standards pour l'analyse des dispositifs semi-conducteurs et fournissent des outils essentiels pour votre procédure de contrôle qualité, l'analyse de défaillance ou pour la recherche et le développement.

Les deux techniques peuvent être appliquées sur les sections transversales afin d'étudier la structure verticale de ces appareils. Les sections transversales peuvent être réalisées de différentes manières. La combinaison de Focus Ion Beam (FIB), souvent avec la SEM, pour un seul outil, est devenue la technique de préparation la plus commune.

Les coupes transversales MEB et MET constituent un service spécialisé proposé par SGS. Notre personnel expérimenté travaille avec des équipements performants pour fournir des images extrêmement détaillées lorsque vous avez besoin d'une image de résolution supérieure à celle offerte par un microscope optique.

Nous utilisons les coupes transversales SEM et TEM à de nombreuses fins analytiques, notamment:

  • analyse de défaillance physique
  • analyse de construction
  • rétro-ingénierie

Contactez SGS pour en savoir plus sur les coupes transversales MEB et MET comme outil vital dans le contrôle qualité de vos produits.